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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 1.85 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-SQSA12CENW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQSA12CENW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQSA12CENW-T1_GE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8W
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	31 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	47 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

SQSA12CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET^® power MOSFET. The SQSA12CENW MOSFET features an 18A I_D, 100V V_DS, and 0.022Ω R_DS(on). The Vishay / Siliconix SQSA12CENW Automotive N-Ch 100V MOSFET is available in a single PowerPAK^® 1212-8W package and is specified to a -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range.

PRODUCTOS DESTACADOS

VISHAY

SQD50P04-09L 40V Automotive P-Channel Power MOSFET

The device is ideal for automotive, power distribution, and industrial power control applications.

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SiJK5100E N-Channel MOSFET

TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage and 536W maximum power dissipation.

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SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Comes in a PowerPAK^® 8mm x 8mm BWL package with an on-resistance of 0.00115Ω.

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MOSFET de 40 V de canal N (D-S) SiJK140E

Features TrenchFET^® Gen V power technology ideal for synchronous rectification and automation.

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Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Features power technology, optimizes efficiency, and minimizes power loss during conduction.

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Disponibilidad

Existencias:: 0

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En pedido:: 4,665

Se espera el 07/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 23

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.85	$1.85
	$0.865	$8.65
	$0.768	$76.80
	$0.599	$299.50
	$0.588	$588.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.475	$1,425.00
	$0.473	$2,838.00
	$0.449	$4,041.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

SQSA12CENW-T1_GE3

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Fabricante: Vishay / Siliconix

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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