Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel, P-Channel
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SOIC-8
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2 Channel
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SMD/SMT
SOT-363-6
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SMD/SMT
SOIC-8
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Si
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SOIC-8
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Si
SMD/SMT
ChipFET-8
N-Channel, P-Channel
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA517DJ-T1-GE3
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Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
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4.5 A
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400 mV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
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Si
SMD/SMT
SC-89-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
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8 V
400 mV
1.3 nC, 1.65 nC
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220 mW
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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SI4532CDY-T1-GE3
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781-SI4532CDY-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
21,814 Se espera el 18/11/2027
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Mult.: 1
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2,500
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
4.3 A, 6 A
47 mOhms, 89 mOhms
20 V
1 V
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+ 150 C
2.78 W
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
SIA519EDJ-T1-GE3
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781-SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
71,892 En pedido
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$1.30
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$0.465
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Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SC70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
40 mOhms, 90 mOhms
8 V
500 mV, 600 mV
3.7 nC, 5.3 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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6,000 Se espera el 11/02/2027
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78-SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
6,000 Se espera el 11/02/2027
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$1.63
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Detalles
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
12 V, 20 V
4.5 A
23 mOhms, 44 mOhms
8 V
400 mV
16 nC, 25 nC
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+ 150 C
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TrenchFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5513CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser
781-SI5513CDC-E3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
3,051 En pedido
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51 Se espera el 10/06/2027
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1
$1.48
10
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$0.595
500
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
ChipFET-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
3.7 A, 4 A
55 mOhms, 150 mOhms
12 V
600 mV
4.2 nC, 5.6 nC
- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
TrenchFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
SQUN702E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
2,000:
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N.º de artículo de Mouser
78-SQUN702E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
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Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
25 V
1.5 V, 2.5 V
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+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel