Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.42 4,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,000En existencias	Cinta cortada $3.42 $1.68 $1.51 $1.20 Ver Envase tipo carrete $1.05 $1.18 $1.14 $1.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.68 6,909En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,909En existencias	Cinta cortada $3.68 $2.38 $1.64 $1.31 Envase tipo carrete $1.31 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.65 19,208En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0504NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0504NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	19,208En existencias	Cinta cortada $1.65 $0.77 $0.684 $0.53 Envase tipo carrete $0.386 Ver $0.503 $0.471 $0.355 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.2 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.86 14,046En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,046En existencias	Cinta cortada $1.86 $0.875 $0.777 $0.607 Ver Envase tipo carrete $0.455 $0.597 $0.571 $0.455 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.73 4,623En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,623En existencias	Cinta cortada $4.73 $2.38 $2.16 $1.76 Ver Envase tipo carrete $1.64 $1.74 $1.68 $1.64	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.71 2,092En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,092En existencias	Cinta cortada $3.71 $1.83 $1.65 $1.33 Ver Envase tipo carrete $1.17 $1.27 $1.25 $1.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.60 25En existencias 15,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	25En existencias 15,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC0901NSATMA1 Existencias: 25 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,000 Se espera el 16/10/2026 10,000 Se espera el 11/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.60 $1.46 $1.07 $0.845 Ver Envase tipo carrete $0.664 $0.783 $0.751 $0.664 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.10 32En existencias 10,000Se espera el 24/06/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	32En existencias 10,000Se espera el 24/06/2027	Cinta cortada $4.10 $2.43 $1.83 $1.52 $1.48 Envase tipo carrete $1.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	960 uOhms	16 V	2 V	92 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.81 2,003En existencias 40,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ019N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,003En existencias 40,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ019N03LSATMA1 Existencias: 2,003 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 20,000 Se espera el 10/12/2026 20,000 Se espera el 15/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.81 $1.55 $1.22 $0.987 Ver Envase tipo carrete $0.794 $0.939 $0.865 $0.794 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	149 A	2 mOhms	20 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $1.52 4,311En existencias 5,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	4,311En existencias 5,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada $1.52 $0.737 $0.633 $0.504 Envase tipo carrete $0.372 Ver $0.473 $0.445 $0.364 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.87 56,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	56,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 6,000 Se espera el 07/01/2027 10,000 Se espera el 28/01/2027 15,000 Se espera el 22/04/2027 25,000 Se espera el 12/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.87 $1.68 $1.23 $0.985 $0.976 Envase tipo carrete $0.814 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.09 47,193En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ0506NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0506NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	47,193En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ0506NSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 7,193 Se espera el 01/04/2027 20,000 Se espera el 22/04/2027 20,000 Se espera el 26/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.09 $1.00 $0.766 $0.627 Ver Envase tipo carrete $0.449 $0.588 $0.585 $0.449 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.4 mOhms	20 V	2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.58 9,928En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH29NE2LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH29NE2LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9,928En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH29NE2LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,928 Se espera el 29/07/2027 5,000 Se espera el 16/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $5.58 $3.11 $2.76 $2.42 $2.41 Envase tipo carrete $2.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	789 A	290 uOhms	16 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $6.34 14,819Se espera el 02/09/2027	N.º de artículo del Fabricante IQDH35N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH35N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,819Se espera el 02/09/2027	Cinta cortada $6.34 $3.37 $3.02 $2.63 Ver Envase tipo carrete $2.33 $2.56 $2.55 $2.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	700 A	350 uOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies 1: $4.21 4,997Se espera el 16/09/2027	N.º de artículo del Fabricante BSG0812NDATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSG0812NDATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,997Se espera el 16/09/2027	Cinta cortada $4.21 $2.42 $1.90 $1.57 $1.53 Envase tipo carrete $1.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	25 V	50 A	900 mOhms, 3.5 mOhms	16 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	6.25 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.02 5,991En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,991En pedido	Cinta cortada $5.02 $2.56 $2.29 $1.91 $1.89 Envase tipo carrete $1.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.03 6,000Se espera el 28/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $4.03 $2.04 $1.79 $1.46 Ver Envase tipo carrete $1.08 $1.39 $1.37 $1.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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