Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 17

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.71 2,082En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,082En existencias	Cinta cortada $3.71 $1.83 $1.65 $1.33 Ver Envase tipo carrete $1.16 $1.27 $1.25 $1.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.32 4,482En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,482En existencias	Cinta cortada $3.32 $1.63 $1.46 $1.16 Ver Envase tipo carrete $0.905 $1.13 $1.10 $0.905	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.60 10,753En existencias 10,000Se espera el 04/11/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,753En existencias 10,000Se espera el 04/11/2027	Cinta cortada $2.60 $1.24 $1.01 $0.815 Ver Envase tipo carrete $0.664 $0.775 $0.707 $0.664 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.86 13,165En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	13,165En existencias	Cinta cortada $1.86 $0.875 $0.777 $0.607 Ver Envase tipo carrete $0.455 $0.597 $0.571 $0.455 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.73 3,913En existencias 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,913En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada $4.73 $2.38 $2.16 $1.76 Ver Envase tipo carrete $1.64 $1.74 $1.68 $1.64	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies 1: $1.56 530En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC0504NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0504NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	530En existencias 20,000En pedido	Cinta cortada $1.56 $0.725 $0.644 $0.498 Envase tipo carrete $0.368 Ver $0.489 $0.437 $0.355 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.2 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.10 110En existencias 10,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	110En existencias 10,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada $4.10 $2.43 $1.83 $1.52 $1.48 Envase tipo carrete $1.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	960 uOhms	16 V	2 V	92 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $1.42 2,912En existencias 5,000Se espera el 08/04/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	2,912En existencias 5,000Se espera el 08/04/2027	Cinta cortada $1.42 $0.679 $0.597 $0.48 Envase tipo carrete $0.365 Ver $0.464 $0.451 $0.359 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.68 163En existencias 9,600Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	163En existencias 9,600Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $3.68 $2.38 $1.64 $1.31 Envase tipo carrete $1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.96 59,150En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	59,150En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,150 Se espera el 07/01/2027 10,000 Se espera el 06/05/2027 15,000 Se espera el 24/06/2027 25,000 Se espera el 22/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.96 $1.46 $1.27 $1.02 Ver Envase tipo carrete $0.814 $0.933 $0.872 $0.814 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.81 29,503En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ019N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	29,503En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ019N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,503 Se espera el 06/01/2027 20,000 Se espera el 30/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.81 $1.55 $1.22 $0.987 Ver Envase tipo carrete $0.794 $0.939 $0.865 $0.794 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	149 A	2 mOhms	20 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $6.05 9,928En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH29NE2LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH29NE2LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9,928En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH29NE2LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,928 Se espera el 22/07/2027 5,000 Se espera el 28/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $6.05 $3.13 $2.82 $2.46 Ver Envase tipo carrete $2.25 $2.44 $2.42 $2.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	789 A	290 uOhms	16 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $6.44 19,834En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH35N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH35N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19,834En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH35N03LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,834 Se espera el 02/09/2027 15,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $6.44 $3.37 $3.04 $2.63 Ver Envase tipo carrete $2.33 $2.60 $2.59 $2.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	700 A	350 uOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies 1: $4.21 4,997Se espera el 03/06/2027	N.º de artículo del Fabricante BSG0812NDATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSG0812NDATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,997Se espera el 03/06/2027	Cinta cortada $4.21 $2.42 $1.90 $1.57 $1.53 Envase tipo carrete $1.39	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	25 V	50 A	900 mOhms, 3.5 mOhms	16 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	6.25 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.09 39,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ0506NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0506NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	39,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ0506NSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 19,000 Se espera el 22/04/2027 20,000 Se espera el 02/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.09 $0.898 $0.751 $0.611 Ver Envase tipo carrete $0.462 $0.588 $0.585 $0.462 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.4 mOhms	20 V	2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.02 5,841En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,841En pedido	Cinta cortada $5.02 $2.56 $2.29 $1.91 $1.89 Envase tipo carrete $1.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.03 6,000Se espera el 28/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $4.03 $2.04 $1.79 $1.46 Ver Envase tipo carrete $1.08 $1.39 $1.37 $1.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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