Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: $0.442
298,825En existencias

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DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Envase tipo carrete

$0.096

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1: $0.507
193En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-13

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621-DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

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$0.507

$0.294

$0.213

$0.15

$0.127

Envase tipo carrete

$0.127

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620

: 10,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
1: $0.533
750En existencias
126,000En pedido

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DMN53D0LDW-7

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621-DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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$0.213

$0.146

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Envase tipo carrete

$0.064

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

DMN53D0LW-13
Diodes Incorporated
1: $0.455
18,553En existencias
20,000Se espera el 29/01/2027

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DMN53D0LW-13

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621-DMN53D0LW-13

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$0.218

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$0.164

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 1,880

: 10,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
1: $0.442
29En existencias
63,000Se espera el 10/09/2027

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DMN53D0LW-7

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621-DMN53D0LW-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

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$0.256

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$0.14

$0.126

Envase tipo carrete

$0.086

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

DMN53D0LQ-13
Diodes Incorporated
1: $0.52
89,972En pedido

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DMN53D0LQ-13

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621-DMN53D0LQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

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$0.302

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,330

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
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DMN53D0LQ-7

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621-DMN53D0LQ-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

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$0.302

$0.213

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
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DMN53D0U-7

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621-DMN53D0U-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0L-13
Diodes Incorporated
1: $0.455
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DMN53D0L-13

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621-DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

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50 V

500 mA

1.6 Ohms

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1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
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DMN53D0U-13

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

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