IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
$16.87
$9.56
$9.43
$8.93
Envase tipo carrete
$8.93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263
Hoja de datos
894En existencias
Cinta cortada
$10.15
$6.88
$5.02
Envase tipo carrete
$4.52
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
870En existencias
Cinta cortada
$11.60
$6.33
$5.82
$5.40
Envase tipo carrete
$5.40
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L
Hoja de datos
900En existencias
Cinta cortada
$14.04
$7.80
$7.42
$6.94
Envase tipo carrete
$6.94
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Hoja de datos
813En existencias
Cinta cortada
$15.50
$10.21
$9.22
$8.39
Envase tipo carrete
$7.68
Presupuesto
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2,084En existencias
Cinta cortada
$16.87
$9.56
$9.43
$8.81
Envase tipo carrete
$8.81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2,095En existencias
Cinta cortada
$11.47
$6.25
$5.75
$5.68
$5.38
Envase tipo carrete
$5.38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL
Hoja de datos
2,090En existencias
Cinta cortada
$13.87
$7.71
$7.31
$6.92
Envase tipo carrete
$6.92
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
520En existencias
$17.19
$9.75
$9.04
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
Hoja de datos
542En existencias
Cinta cortada
$9.67
$5.19
$4.24
Envase tipo carrete
$4.24
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
$11.78
$6.44
$5.58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV
Hoja de datos
550En existencias
$14.14
$9.75
$7.09
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Hoja de datos
537En existencias
Cinta cortada
$15.82
$10.22
$9.48
Envase tipo carrete
$8.27
$7.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement