π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 21
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10,128En existencias
Cinta cortada
$1.13
$0.519
$0.458
$0.35
Envase tipo carrete
$0.269
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 45,982En existencias
Cinta cortada
$0.598
$0.367
$0.265
$0.233
Envase tipo carrete
$0.129
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 143,048En existencias
Cinta cortada
$0.364
$0.163
$0.142
$0.104
Envase tipo carrete
$0.062
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Min.: 1
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: 10,000
Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
31,940En existencias
Cinta cortada
$0.52
$0.233
$0.203
$0.151
Envase tipo carrete
$0.107
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: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6,859En existencias
Cinta cortada
$0.338
$0.148
$0.129
$0.095
Envase tipo carrete
$0.068
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
94En existencias
24,000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
$0.325
$0.14
$0.122
$0.09
Envase tipo carrete
$0.065
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
39,257En existencias
Cinta cortada
$0.299
$0.127
$0.112
$0.082
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Envase tipo carrete
$0.043
Min.: 1
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: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
8,798En existencias
6,000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
$0.312
$0.135
$0.118
$0.086
Envase tipo carrete
$0.061
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
1,614En existencias
30,000Se espera el 12/03/2027
Cinta cortada
$0.377
$0.166
$0.146
$0.107
Envase tipo carrete
$0.078
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 234En existencias
72,000Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
$0.286
$0.124
$0.107
$0.078
Envase tipo carrete
$0.04
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Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Cinta cortada
$0.559
$0.244
$0.215
$0.16
Envase tipo carrete
$0.118
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4,700En existencias
Cinta cortada
$0.559
$0.244
$0.215
$0.16
Envase tipo carrete
$0.142
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
7,198En existencias
Cinta cortada
$0.481
$0.212
$0.185
$0.137
Envase tipo carrete
$0.096
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
13,113En existencias
Cinta cortada
$0.663
$0.294
$0.257
$0.192
Envase tipo carrete
$0.143
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
4,185En existencias
16,000En pedido
Cinta cortada
$0.676
$0.304
$0.267
$0.20
Envase tipo carrete
$0.144
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
14,998Se espera el 12/02/2027
Cinta cortada
$0.299
$0.127
$0.112
$0.082
Envase tipo carrete
$0.059
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
5,979Se espera el 03/11/2026
Cinta cortada
$0.546
$0.335
$0.316
$0.217
Envase tipo carrete
$0.165
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
3,858Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
$0.585
$0.261
$0.229
$0.17
Envase tipo carrete
$0.121
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
12,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
$0.468
$0.287
$0.181
$0.134
Ver
Envase tipo carrete
$0.074
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
$0.559
$0.339
$0.215
$0.16
Envase tipo carrete
$0.118
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel No en existencias
Cinta cortada
$0.676
$0.462
$0.293
$0.185
Envase tipo carrete
$0.12
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape