40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower RDS(on) and 45% lower Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density.  A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate package 3,500En existencias
Cinta cortada
$5.38
$3.52
$2.63
$2.20
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Envase tipo carrete
$1.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 271 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V switching optimized power MOSFET in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center Gate Dual-Side Cooled (DSC) package 3,500En existencias
Cinta cortada
$5.67
$2.90
$2.63
$2.21
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Envase tipo carrete
$1.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms 12 V 1.7 V 18.9 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 25,846En existencias
30,000Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
$3.04
$1.48
$1.33
$1.05
Envase tipo carrete
$0.883
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 20,613En existencias
15,000Se espera el 17/12/2026
Cinta cortada
$2.38
$1.13
$1.01
$0.797
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Envase tipo carrete
$0.636
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 77 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
13,150Se espera el 01/04/2027
Cinta cortada
$2.94
$1.87
$1.26
$1.02
$0.983
Envase tipo carrete
$0.871
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel