Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.24 18,504En existencias 5,000Se espera el 03/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC034N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	18,504En existencias 5,000Se espera el 03/12/2026	Cinta cortada $3.24 $2.08 $1.42 $1.20 Envase tipo carrete $0.887 Ver $1.06 $1.05 $0.875 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	122 A	3.4 mOhms	20 V	3.2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.97 5,262En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC040N10NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC040N10NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n channel optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	5,262En existencias	Cinta cortada $3.97 $1.98 $1.78 $1.43 Ver Envase tipo carrete $1.13 $1.40 $1.38 $1.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	4 mOhms	20 V	3.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.82 14,303En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14,303En existencias	Cinta cortada $5.82 $2.98 $2.70 $2.30 $2.21 Envase tipo carrete $2.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.78 5,873En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,873En existencias	Cinta cortada $4.78 $2.81 $2.18 $1.83 $1.76 Envase tipo carrete $1.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.69 5,736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,736En existencias	Cinta cortada $5.69 $2.91 $2.64 $2.22 $2.15 Envase tipo carrete $2.09	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.65 4,955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,955En existencias	Cinta cortada $3.65 $1.92 $1.69 $1.40 Ver Envase tipo carrete $1.25 $1.35 $1.33 $1.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.52 4,897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,897En existencias	Cinta cortada $3.52 $1.87 $1.65 $1.35 Ver Envase tipo carrete $1.21 $1.33 $1.30 $1.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.43 4,965En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH68NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,965En existencias	Cinta cortada $3.43 $1.68 $1.51 $1.21 Ver Envase tipo carrete $1.05 $1.18 $1.13 $1.05	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.08 5,674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,674En existencias	Cinta cortada $4.08 $2.03 $1.83 $1.48 Ver Envase tipo carrete $1.34 $1.46 $1.39 $1.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.00 4,923En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH84NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,923En existencias	Cinta cortada $3.00 $1.47 $1.31 $1.04 Ver Envase tipo carrete $0.88 $1.01 $0.972 $0.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 ISC019N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.62 120En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC019N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	120En existencias	Cinta cortada $4.62 $3.02 $2.16 $1.81 $1.74 Envase tipo carrete $1.57	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	209 A	1.9 mOhms	20 V	3.2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC024N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.34 117En existencias 20,000Se espera el 28/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC024N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	117En existencias 20,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $4.34 $2.44 $1.95 $1.55 Ver Envase tipo carrete $1.24 $1.50 $1.44 $1.24	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	167 A	2.4 mOhms	20 V	3.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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