SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Hoja de datos
1,753En existencias
$12.00
$7.42
$7.41
$7.07
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A SM SCHOTTKY
Hoja de datos
713En existencias
Cinta cortada
$10.05
$5.62
Envase tipo carrete
$5.62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Hoja de datos
445En existencias
$16.24
$15.26
$13.36
$13.35
$13.23
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
$32.53
$26.05
$22.53
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
Hoja de datos
No en existencias
SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)