MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1,704En existencias
Cinta cortada
$9.44
$5.06
$4.63
$4.39
$4.15
Envase tipo carrete
$4.15
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
5,351En existencias
Cinta cortada
$1.73
$0.803
$0.714
$0.555
Envase tipo carrete
$0.415
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6,281En existencias
10,000En pedido
Cinta cortada
$4.42
$2.21
$2.00
$1.63
$1.60
Envase tipo carrete
$1.60
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
12,445En existencias
10,000Se espera el 20/10/2027
Cinta cortada
$3.38
$1.66
$1.44
$1.19
Ver
Envase tipo carrete
$0.953
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4,614En existencias
Cinta cortada
$3.21
$1.56
$1.40
$1.12
$1.08
Envase tipo carrete
$0.961
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
9,032En existencias
Cinta cortada
$2.86
$1.42
$1.23
$0.985
$0.897
Envase tipo carrete
$0.783
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
9,380Se espera el 01/04/2027
Cinta cortada
$6.76
$3.51
$3.20
$2.81
Envase tipo carrete
$2.29
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel