Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1
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N-Channel
Si
64 mA
105 V
728 MHz to 960 MHz
19.1 dB
2 W
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+ 150 C
SMD/SMT
PQFN-24
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
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N-Channel
Si
10 A
40 V
764 MHz to 941 MHz
15.7 dB
32 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
MRF6V12500HR5
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N-Channel
Si
110 V
1.215 MHz to 960 MHz
19.7 dB
500 W
+ 150 C
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NI-780H-2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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N-Channel
Si
2 A
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1.8 MHz to 600 MHz
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600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
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600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
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841-MRF6VP121KHR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
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Detalles
N-Channel
Si
110 V
20 dB
1 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230-4
Reel, Cut Tape