Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.04 14,866En existencias 10,000Se espera el 05/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC070N10NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,866En existencias 10,000Se espera el 05/11/2026	Cinta cortada $3.04 $1.48 $1.33 $1.05 Ver Envase tipo carrete $0.883 $0.996 $0.95 $0.883 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000			Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	7 mOhms	20 V	2.2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V BSC070N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.01 2,983Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC070N10NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V	Hoja de datos	2,983Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $5.01 $3.26 $2.29 $1.91 Ver Envase tipo carrete $1.66 $1.77 $1.66 $1.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	7 mOhms	20 V	3.8 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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