Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: $3.67 2,107En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2,107En existencias	$3.67 $2.37 $1.63 $1.33 Ver $1.22 $1.18 $1.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ALPBF Vishay Semiconductors 1: $1.89 3,742En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3,742En existencias	$1.89	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: $3.47 9,084En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	9,084En existencias	$3.47 $2.04 $1.53 $1.29 $1.14	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCSPBF Vishay Semiconductors 1: $5.55 235En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCSPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCSPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	235En existencias	$5.55 $3.64 $2.72 $2.28 Ver $2.09 $2.05 $1.98	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors 1: $5.47 861En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	861En existencias	$5.47 $2.78 $2.52 $2.07 $2.05	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3													Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF Vishay Semiconductors 1: $4.02 4,212En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4,212En existencias	$4.02 $2.59 $1.76 $1.61	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ASPBF Vishay Semiconductors 1: $4.94 11,018En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	11,018En existencias	$4.94 $2.50 $2.24 $1.86 $1.50	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: $5.29 1,244En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V	Hoja de datos	1,244En existencias	Cinta cortada $5.29 $3.47 $2.43 $2.11 Envase tipo carrete $1.90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 1: $3.93 3,036En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3,036En existencias	$3.93 $2.29 $1.87 $1.57 Ver $1.56 $1.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF Vishay Semiconductors 1: $3.43 7,135En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	7,135En existencias	$3.43 $2.18 $1.72 $1.52 $1.43	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840SPBF Vishay Semiconductors 1: $3.67 6,760En existencias 12,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF840SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	6,760En existencias 12,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF840SPBF Existencias: 6,760 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,000 Se espera el 08/10/2026 5,000 Se espera el 26/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	$3.67 $1.81 $1.61 $1.31	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: $3.58 821En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	821En existencias 1,000En pedido	$3.58 $1.76 $1.59 $1.27	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRLPBF Vishay Semiconductors 1: $4.23 775En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	775En existencias	Cinta cortada $4.23 $2.72 $1.87 $1.78 Envase tipo carrete $1.60 $1.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRRPBF Vishay Semiconductors 1: $4.93 227En existencias 800Se espera el 08/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	227En existencias 800Se espera el 08/10/2026	Cinta cortada $4.93 $3.22 $2.25 $1.74 Envase tipo carrete $1.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp IRF840ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: $4.33 798Se espera el 23/09/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp	Hoja de datos	798Se espera el 23/09/2026	Cinta cortada $4.33 $2.81 $1.94 $1.57 Envase tipo carrete $1.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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