FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low rDS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench 18,610En existencias
Cinta cortada
$3.81
$2.46
$1.69
$1.38
$1.27
Envase tipo carrete
$1.22
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 14,563En existencias
Cinta cortada
$3.35
$2.16
$1.47
$1.24
$1.10
Envase tipo carrete
$1.04
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel