Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: $1.22 7,805En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7,805En existencias	Cinta cortada $1.22 $0.56 $0.495 $0.38 Envase tipo carrete $0.291 Ver $0.363 $0.252 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies 1: $1.50 2,317En existencias 12,000Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6242TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6242TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon pqfn hexfet	Hoja de datos	2,317En existencias 12,000Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada $1.50 $0.627 $0.559 $0.438 Envase tipo carrete $0.312 $0.304 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	1 Channel	20 V	22 A	11.7 mOhms	12 V	1.1 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	9.6 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: $1.08 31,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	31,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 19,000 Se espera el 04/03/2027 12,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada $1.08 $0.508 $0.45 $0.347 Envase tipo carrete $0.257 Ver $0.339 $0.311 $0.241 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

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