FDT4N50NZU
863-FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET II 3OHM SOT223
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET II 3OHM SOT223
Hoja de datos:
Códigos de cumplimiento
- MXHTS:
- 8541299900
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Malasia
- País de origen del ensamblaje:
- Malasia
- País de difusión:
- República Checa
En existencias: 7,858
-
Existencias:
-
7,858 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.77 | $2.77 | |
| $1.40 | $14.00 | |
| $1.18 | $118.00 | |
| $0.958 | $479.00 | |
| $0.858 | $858.00 | |
| $0.802 | $1,604.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000) | ||
| $0.771 | $3,084.00 | |

México