Resultados: 11
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,590En existencias
1,000En pedido
Cinta cortada
$50.23
$40.99
$36.22
$36.01
Envase tipo carrete
$33.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011En existencias
Cinta cortada
$36.11
$24.95
$24.88
$23.52
Envase tipo carrete
$21.94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245En existencias
Cinta cortada
$23.15
$17.64
$14.70
$13.10
Envase tipo carrete
$12.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,603En existencias
Cinta cortada
$17.59
$10.74
$10.53
Envase tipo carrete
$10.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502En existencias
1,000Se espera el 06/05/2027
Cinta cortada
$12.19
$8.33
$6.86
$6.12
Envase tipo carrete
$5.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,615En existencias
Cinta cortada
$6.85
$3.56
$3.24
$2.86
Envase tipo carrete
$2.85
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79En existencias
1,000Se espera el 31/12/2026
Cinta cortada
$14.83
$10.49
$8.74
$7.79
Envase tipo carrete
$7.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 39En existencias
2,000Se espera el 08/07/2027
Cinta cortada
$10.67
$7.51
$6.08
$5.41
Envase tipo carrete
$4.78
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 198En existencias
4,000En pedido
Cinta cortada
$8.40
$5.50
$4.06
$3.60
Envase tipo carrete
$3.19
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
$26.42
$19.73
$17.07
$16.16
Envase tipo carrete
$15.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000Se espera el 03/12/2026
Cinta cortada
$9.28
$6.21
$4.99
$4.43
Envase tipo carrete
$3.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement