Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser México

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 IPP200N15N3 G Infineon Technologies 1: $4.77 1,438En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP200N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	1,438En existencias	$4.77 $3.11 $2.18 $1.82 $1.72	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	50 A	20 mOhms	20 V	2 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 IPP111N15N3 G Infineon Technologies 1: $6.12 705En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP111N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP111N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	705En existencias	$6.12 $4.00 $2.99 $2.50 Ver $2.31 $2.20	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.04 14,605En existencias 10,000Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC070N10NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,605En existencias 10,000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $3.04 $1.48 $1.33 $1.05 Ver Envase tipo carrete $0.883 $0.996 $0.95 $0.883 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000			Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	80 A	7 mOhms	20 V	2.2 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB108N15N3 G Infineon Technologies 1: $6.12 1,986En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB108N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IP726-B108N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	1,986En existencias	Cinta cortada $6.12 $3.28 $2.98 $2.59 Envase tipo carrete $2.43 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	10.8 mOhms	20 V	2 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.27 1,795En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,795En existencias	Cinta cortada $8.27 $5.42 $3.99 $3.55 Envase tipo carrete $3.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB072N15N3 G Infineon Technologies 1: $7.23 1,380En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB072N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1,380En existencias	Cinta cortada $7.23 $4.73 $3.54 $3.08 Envase tipo carrete $2.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	7.2 mOhms	20 V	2 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel