Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB95R310PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.38 1,835En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB95R310PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R310PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,835En existencias	Cinta cortada $5.38 $2.74 $2.48 $2.07 Envase tipo carrete $1.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R450PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.56 712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA95R450PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R450PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	712En existencias	$4.56 $2.29 $2.07 $1.66	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	7.2 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $19.59 782En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW95R060PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R060PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	782En existencias	$19.59 $11.02 $10.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	74.7 A	60 mOhms	30 V	3.5 V	315 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.22 613En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW95R130PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	613En existencias	$9.22 $5.21 $4.80 $4.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB95R130PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.80 1,189En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB95R130PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R130PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,189En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $9.80 $5.27 $4.82 $4.62 Envase tipo carrete $4.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	950 V	36.5 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.80 1,132En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB95R450PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	1,132En existencias	Cinta cortada $4.80 $2.42 $2.18 $1.78 Envase tipo carrete $1.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPW95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.42 3,695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW95R310PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	3,695En existencias	$5.42 $2.69 $2.44 $2.03	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	950 V	17.5 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.79 59En existencias 500Se espera el 01/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA95R130PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R130PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	59En existencias 500Se espera el 01/12/2026	$9.79 $5.25 $4.81 $4.36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	13.9 A	130 mOhms	30 V	3.5 V	141 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.26 644En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R450PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R450PFD7ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	644En existencias	Cinta cortada $4.26 $2.13 $1.92 $1.56 $1.53 Envase tipo carrete $1.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	13.3 A	450 mOhms	30 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R310PFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.38 379Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA95R310PFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R310PFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 950v pfd7 sj mosfets	Hoja de datos	379Se espera el 16/11/2026	$5.38 $2.74 $2.48 $2.02 $1.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	950 V	8.7 A	310 mOhms	30 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 155 C	31 W	Enhancement	Tube

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