Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser México

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $8.33 959En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	959En existencias	Cinta cortada $8.33 $4.95 $3.35 Envase tipo carrete $3.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	12 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $17.34 3,409En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	3,409En existencias	Cinta cortada $17.34 $10.71 $10.17 $9.87 $9.75 Envase tipo carrete $9.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: $16.60 851En existencias 2,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R022S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	851En existencias 2,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R022S7XKSA1 Existencias: 851 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 13/05/2027 1,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	$16.60 $9.37 $8.74	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $12.58 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada $12.58 $6.93 $6.42 $6.07 Envase tipo carrete $6.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel