IRL Power MOSFETs

Vishay IRL Power MOSFETs offer an optimal balance of fast switching, rugged design, low on-resistance, and cost efficiency. The Vishay IRL MOSFETs are available in SOT-223 and DPAK packages. These MOSFETs support surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The SOT-223 package features an enlarged tab for improved thermal performance, enabling power dissipation exceeding 1.25W, while the DPAK package allows for power dissipation up to 1.5W in typical applications. The IRLU and SiHLU series also provide a straight-lead option for through-hole mounting.

Resultados: 23
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5,539En existencias
$0.819
$0.811
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A 4,974En existencias
2,000Se espera el 05/10/2026
$3.69
$1.92
$1.64
$1.34
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR 2,801En existencias
$5.93
$3.89
$2.90
$2.43
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Min.: 1
Mult.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 30 Amp 4,895En existencias
$5.45
$3.26
$2.64
$2.21
$2.05
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU 4,173En existencias
$2.83
$1.28
$1.15
$0.966
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
478En existencias
9,000Se espera el 04/01/2027
$2.59
$1.28
$1.06
$0.897
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
2,244En existencias
18,000En pedido
Cinta cortada
$2.41
$1.46
$0.978
$0.806
Envase tipo carrete
$0.806
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 60V 2.7A
59,000Se espera el 08/01/2027
Cinta cortada
$2.25
$1.39
$0.913
$0.724
Envase tipo carrete
$0.723
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
59,855Se espera el 25/02/2028
Cinta cortada
$2.08
$1.28
$0.842
$0.662
$0.581
Envase tipo carrete
$0.511
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 1.5 Amp
82,834En pedido
Cinta cortada
$1.63
$0.754
$0.67
$0.519
$0.506
Envase tipo carrete
$0.417
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
14,495Se espera el 21/09/2026
$2.56
$1.26
$1.07
$0.871
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
8,672En pedido
Cinta cortada
$2.64
$1.35
$1.10
$0.871
Envase tipo carrete
$0.81
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU
9,845En pedido
$2.56
$1.52
$1.09
$0.862
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
1,493Se espera el 08/10/2026
Cinta cortada
$1.72
$0.802
$0.712
$0.554
Envase tipo carrete
$0.447
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Cinta cortada
$2.95
$1.85
$1.21
$0.963
Envase tipo carrete
$0.846
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Cinta cortada
$5.30
$3.47
$2.59
$2.17
$2.09
Envase tipo carrete
$1.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Envase tipo carrete
$1.90
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Envase tipo carrete
$1.91
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp No en existencias
Envase tipo carrete
$1.91
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Envase tipo carrete
$2.12
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Envase tipo carrete
$2.12
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU No en existencias
$6.88
$4.50
$3.35
$2.82
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU No en existencias
$5.36
$3.51
$2.61
$2.20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube