NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs

onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs provide higher voltage operation, wider temperature ranges, and increased switching frequencies when compared to existing Si technology. These MOSFETs offer low effective output capacitance and ultra-low gate charge, resulting in lower switching losses and higher switching speed capabilities. onsemi NVT201xN0 M2 SiC N-Channel MOSFETs are 100% UIS tested and are AEC-Q101 qualified.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M2
Hoja de datos
800En existencias
Cinta cortada
$29.39
$19.29
Envase tipo carrete
$19.29
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 180 A 18 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 256 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M3S 16MR
Hoja de datos
646En existencias
Cinta cortada
$18.03
$10.28
Envase tipo carrete
$10.28
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 650 V 85 A 23.4 mOhms - 8 V, 22 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC T2PAK SIC 650V M2
Hoja de datos
462En existencias
Cinta cortada
$29.43
$19.32
Envase tipo carrete
$19.32
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80
: 800
SMD/SMT T2PAK-7 1 Channel 900 V 148 A 23 mOhms - 8 V, 22 V 4.3 V 250 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement