Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

PJQ5439E_R2_00201
Panjit
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$0.758

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$0.41

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

18.8 mOhms

25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

PJQ4433EP_R2_00201
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$0.403

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Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

62 A

8.8 mOhms

25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

Reel

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PJQ4435EP_R2_00201
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$0.339

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

41 A

12.5 mOhms

25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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PJQ4437EP_R2_00201
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$0.269

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Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

38 A

15.4 mOhms

25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel

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PJQ4439EP_R2_00201
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: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

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Reel

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

P-Channel

1 Channel

30 V

68 A

8.4 mOhms

25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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SMD/SMT

DFN-5060X-8

P-Channel

1 Channel

30 V

43 A

12.1 mOhms

25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

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PJQ5437E_R2_00201
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3,000: $0.46
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30 V

38 A

15 mOhms

25 V

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