X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS 615En existencias
$21.74
$12.38
$12.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 46A N-CH X3CLASS 290En existencias
$16.06
$9.05
$7.50
$7.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247 943En existencias
$24.12
$13.98
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X3CLASS 144En existencias
$13.36
$7.23
$6.72
$6.49
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X3CLASS 682En existencias
$14.60
$8.15
$7.51
$7.29
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS 449En existencias
$14.60
$8.15
$8.14
$7.31
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247 Plazo de entrega no en existencias 43 Semanas
$28.59
$17.63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube