MOSFET de tipo trinchera de canal N 2N7002AK

Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface-mounted (SMD) plastic packages using Trench MOSFET technology. These AEC-Q101-qualified devices offer logic-level compatibility in a wide -55°C to +175°C junction temperature range. Applications for Nexperia 2N7002AK N-Channel Trench MOSFETs include relay and high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKS-Q/SOT363/SC-88 12,472En existencias
Cinta cortada
$0.325
$0.143
$0.112
$0.098
Envase tipo carrete
$0.086
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKW-Q/SOT323/SC-70 10,569En existencias
Cinta cortada
$0.273
$0.12
$0.096
$0.069
$0.066
Envase tipo carrete
$0.046
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AK-Q/SOT23/TO-236AB
47,988Se espera el 22/10/2027
Cinta cortada
$0.208
$0.105
$0.075
$0.055
$0.053
Envase tipo carrete
$0.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
4,346Se espera el 02/07/2027
Cinta cortada
$0.702
$0.486
$0.308
$0.194
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Envase tipo carrete
$0.127
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
4,600Se espera el 08/10/2027
Cinta cortada
$0.494
$0.334
$0.212
$0.134
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Envase tipo carrete
$0.087
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel