Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
STD4N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
3.8 A
1.95 Ohms
30 V
4.5 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
STF6N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
5.5 A
1.28 Ohms
30 V
3.75 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1
STP6N62K3
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
620 V
5.5 A
1.28 Ohms
30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
STU4N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
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Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
525 V
2.5 A
2.6 Ohms
30 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
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STN3N45K3
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
450 V
600 mA
4 Ohms
30 V
3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
STU5N62K3
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511-STU5N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
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Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
4.2 A
1.6 Ohms
30 V
3 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
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MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
STD4N52K3
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2,499 Se espera el 05/11/2026
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
525 V
3.8 A
2.6 Ohms
30 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
STF16N60M6
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997 Se espera el 17/09/2027
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511-STF16N60M6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
320 mOhms
25 V
4.75 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
STF5N95K3
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511-STF5N95K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
4 A
3 Ohms
30 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
STF7N95K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
7.2 A
1.35 Ohms
30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
STU3N45K3
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511-STU3N45K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
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Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
450 V
1.8 A
3.8 Ohms
30 V
3 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
STU5N95K3
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3,000:
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511-STU5N95K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
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Mult.: 3,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
4 A
3 Ohms
30 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
STD6N62K3
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2,500:
$1.21
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N.º de artículo de Mouser
511-STD6N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
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Mult.: 2,500
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2,500
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
5.5 A
1.28 Ohms
30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V
STF10N65K3
STMicroelectronics
1,000:
$1.25
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N65K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
750 mOhms
30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
STU2N62K3
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3,000:
$1.02
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STU2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
2.2 A
3.6 Ohms
30 V
4.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube