Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs

STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3™ Power MOSFETs are created through increased fine-tuning of STMicroelectronic's strip-based PowerMESH™ layout, combined with optimization of the vertical structure. In addition to significantly reducing ON-resistance, special attention has been taken to ensure these MOSFETs offer dynamic performance with a large avalanche capability. STMicroelectronics Zener-Protected SuperMESH3 Power MOSFETs are offered in voltages up to 1200V. Applications include switch-mode low-power supplies (SMPS), DC-DC converters, switching, and offline power supplies.

Resultados: 40
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 26En existencias
Cinta cortada
$3.61
$1.92
$1.60
$1.30
Envase tipo carrete
$1.16
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 1.95 Ohms 30 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A 1,171En existencias
$3.93
$1.95
$1.65
$1.46
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms 30 V 3.75 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V 1.1 185En existencias
$3.71
$2.13
$1.65
$1.42
$1.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3 414En existencias
$2.83
$1.78
$1.17
$0.928
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.6 Ohms 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
11,911En pedido
Cinta cortada
$1.96
$0.867
$0.771
$0.615
$0.601
Envase tipo carrete
$0.462
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 450 V 600 mA 4 Ohms 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3 74En existencias
$3.77
$1.76
$1.59
$1.34
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
2,499Se espera el 05/11/2026
Cinta cortada
$2.87
$1.81
$1.19
$0.941
$0.837
Envase tipo carrete
$0.763
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 3.8 A 2.6 Ohms 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
997Se espera el 17/09/2027
$4.65
$2.43
$2.18
$1.82
$1.64
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 320 mOhms 25 V 4.75 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
$2.15
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220 Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
$2.85
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 1.35 Ohms 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3 Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
$0.567
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.8 A 3.8 Ohms 30 V 3 V 6 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
$2.00
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 3 Ohms 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Envase tipo carrete
$1.21
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 5.5 A 1.28 Ohms 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
$1.25
$1.20
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 750 mOhms 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
$1.02
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms 30 V 4.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube