X2-Class IXYS Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Hoja de datos
71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Hoja de datos
124En existencias
200Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
Hoja de datos
37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
95En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
340Se espera el 02/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3PFP-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 350
Mult.: 70

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3PFP-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3