Single SiC Semiconductores

Resultados: 124
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
Hoja de datos
2Se espera el 17/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Hoja de datos
549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Hoja de datos
834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1004
Hoja de datos
37En existencias
100Se espera el 14/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1011
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs RedesignofQPD1014
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

onsemi IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 72
: 800

Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
473En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1,089En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 108
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
1,714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 191
: 2,000

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
Hoja de datos
375En existencias
240Se espera el 05/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
397En existencias
1,800En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800