STDRIVEG210Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG210Q
STDRIVEG210Q

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
2 Output
1.05 A, 2.4 A
9.2 V
18 V
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marca: STMicroelectronics
Voltaje de entrada - Máx.: 20 V
Voltaje de entrada - Mín.: 3 V
Tiempo de retardo de apagado máximo: 60 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 60 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 920 uA
Voltaje de salida: 220 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 60 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 7 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 490
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
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Códigos de cumplimiento
MXHTS:
8542399999
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG210 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to fast startup and low-consumption soft-switching applications. The high-side regulator is characterized by a very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode). These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include DC/DC, AC/DC, resonant converters, synchronous rectification, UPS, adapters, LED lighting, and USB-C.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

En existencias: 664

Existencias:
664 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.87 $3.87
$2.90 $29.00
$2.67 $66.75
$2.39 $239.00
$2.26 $565.00
$2.17 $1,063.30
$2.09 $2,048.20
$2.00 $5,880.00
$1.99 $10,726.10

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