PowerMESH Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
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2,872En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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46En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
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1,933En existencias
4,200Se espera el 29/01/2027
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
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3,046En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
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2,419En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
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827En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
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1,400En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
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5En existencias
400En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
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460En existencias
MouseReel Disponible
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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548En existencias
2,000Se espera el 24/08/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
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424En existencias
6,000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
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27,370En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
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1,760En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
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900Se espera el 25/06/2027
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
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5,000En pedido
MouseReel Disponible
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: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
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300En pedido
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IGBT Modules Si Through Hole ISOTOP-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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1,790Se espera el 18/09/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
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1,200En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 10A 600V
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)