Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-BRIDGE 36V max 1 Chan 1.0A 1.5ohm
BD6231F-E2
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-BD6231F-E2
ROHM Semiconductor
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-BRIDGE 36V max 1 Chan 1.0A 1.5ohm
30,237 En existencias
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición PMIC Motor Driver Brushed DC, Pre-Driver - Half Bridge (2), On/Off Interface -25C - 85C (TA) Surface Mount
BD63150AFM-E2
ROHM Semiconductor
1:
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N.º de artículo de Mouser 755-BD63150AFM-E2
ROHM Semiconductor
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición PMIC Motor Driver Brushed DC, Pre-Driver - Half Bridge (2), On/Off Interface -25C - 85C (TA) Surface Mount
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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) PMW TYPE DC/DC CON
BD91N01NUX-E2
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-BD91N01NUX-E2
ROHM Semiconductor
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) PMW TYPE DC/DC CON
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Búfers y controladores de línea CMOS Logic IC Series
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74VHC244FT(BE)
Toshiba
1:
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N.º de artículo de Mouser 757-74VHC244FTBE
Toshiba
Búfers y controladores de línea CMOS Logic IC Series
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Controladores de puertas DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
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TBD62004AFG,EL
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TBD62004AFGEL
Toshiba
Controladores de puertas DMOS Transistor Array 7-CH, 50V/0.5A
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Controladores de puertas Load Switch IC 2.7-28V Active High
TCK401G,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TCK401GLF
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Controladores de puertas Load Switch IC 2.7-28V Active High
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TPH4R50ANH,L1Q
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TPH4R50ANHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
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Amplificador de RF DC - 20 GHz Distributed Amplifier
CMD284P4
Qorvo
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Qorvo
Amplificador de RF DC - 20 GHz Distributed Amplifier
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Amplificador de RF 50-1500MHz 2W Gain 20.8dB@940MHz
TQP7M9106
Qorvo
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N.º de artículo de Mouser 772-TQP7M9106
Qorvo
Amplificador de RF 50-1500MHz 2W Gain 20.8dB@940MHz
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Amplificador de RF 1.8-2.7GHz .5W Gain 30.5dB 2-Stage
TQP9109
Qorvo
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TQP9109
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Amplificador de RF 1.8-2.7GHz .5W Gain 30.5dB 2-Stage
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
SIJH112E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
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1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
12,045 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
SISS26LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SISS26LDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
170,726 En existencias
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 16V 5% SMB (DO-214AA)
SMBJ16AHE3_A/I
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SMBJ16AHE3_A/I
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 16V 5% SMB (DO-214AA)
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22,400
$0.198
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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9,000
$0.234
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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31,288 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
31,288 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
SQD19P06-60L_T4GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQD19P06-60LT4GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified
56,013 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQJ423EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
76,241 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
67,658 En existencias
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Rectificadores 600V 8A SlimDPAK FRED
VS-8EVL06HM3/I
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Rectificadores 600V 8A SlimDPAK FRED
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
SI5403DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 781-SI5403DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
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