Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC16DP15LMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2,833 En existencias
1
$4.89
10
$2.47
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$1.63
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$1.60
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
P-Channel
1 Channel
150 V
22 A
160 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
BSC050N10NS5ATMA1
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726-BSC050N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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$3.90
10
$1.94
100
$1.51
500
$1.33
1,000
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5,000
$1.15
1,000
$1.29
2,500
$1.28
5,000
$1.15
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC010N04LSATMA1
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48,855 En existencias
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726-BSC010N04LSATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
48,855 En existencias
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1
$3.04
10
$1.95
100
$1.33
500
$1.05
5,000
$0.866
10,000
Ver
1,000
$0.946
2,500
$0.931
10,000
$0.836
25,000
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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40 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
133 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.69
23,285 En existencias
35,000 Se espera el 24/12/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A
23,285 En existencias
35,000 Se espera el 24/12/2026
1
$3.69
10
$2.41
100
$1.64
500
$1.34
1,000
$1.31
5,000
$1.12
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5,000
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1:
$1.57
120,148 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
120,148 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.57
10
$1.12
100
$0.694
500
$0.478
5,000
$0.308
10,000
Ver
1,000
$0.403
2,500
$0.361
10,000
$0.287
25,000
$0.261
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Mult.: 1
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5,000
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
81 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.51
9,064 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
9,064 En existencias
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1
$1.51
10
$0.69
100
$0.516
500
$0.441
5,000
$0.35
10,000
Ver
1,000
$0.393
2,500
$0.39
10,000
$0.315
25,000
$0.299
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
BSC036NE7NS3 G
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1:
$3.63
9,726 En existencias
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726-BSC036NE7NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
9,726 En existencias
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$3.63
10
$2.33
100
$1.59
500
$1.35
1,000
Ver
5,000
$1.08
1,000
$1.19
2,500
$1.13
5,000
$1.08
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
159 A
3.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
63.4 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
$3.35
3,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3,500 En existencias
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1
$3.35
10
$2.16
100
$1.47
500
$1.24
1,000
Ver
5,000
$0.998
1,000
$1.10
2,500
$1.04
5,000
$0.998
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
75 V
100 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.69
2,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
2,747 En existencias
1
$2.69
10
$1.72
100
$1.16
500
$0.918
5,000
$0.706
10,000
Ver
1,000
$0.80
2,500
$0.788
10,000
$0.653
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.46
20,566 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0501NSIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
20,566 En existencias
1
$2.46
10
$1.53
100
$1.05
500
$0.826
5,000
$0.605
10,000
Ver
1,000
$0.702
10,000
$0.589
25,000
$0.573
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
130 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.30
2,595 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V
2,595 En existencias
1
$3.30
10
$2.13
100
$1.46
500
$1.16
1,000
Ver
5,000
$0.989
1,000
$1.10
2,500
$1.08
5,000
$0.989
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
11.2 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
$3.33
4,720 En existencias
5,000 Se espera el 10/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
4,720 En existencias
5,000 Se espera el 10/09/2026
1
$3.33
10
$2.11
100
$1.43
500
$1.15
1,000
Ver
5,000
$0.927
1,000
$1.03
2,500
$1.01
5,000
$0.927
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
150 V
33 A
36 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC12DN20NS3G
Infineon Technologies
1:
$2.86
2,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC12DN20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
2,950 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.86
10
$1.83
100
$1.24
500
$0.983
1,000
Ver
5,000
$0.81
1,000
$0.868
2,500
$0.854
5,000
$0.81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
200 V
11.3 A
108 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.67
2,220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
2,220 En existencias
1
$3.67
10
$2.13
100
$1.64
500
$1.34
5,000
$1.04
10,000
Ver
1,000
$1.25
2,500
$1.21
10,000
$1.02
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.03 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.83
4,874 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,874 En existencias
1
$2.83
10
$1.64
100
$1.17
500
$0.972
5,000
$0.751
10,000
Ver
1,000
$0.857
2,500
$0.846
10,000
$0.702
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
45 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
17.4 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
BSC066N06NS
Infineon Technologies
1:
$1.77
9,045 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
9,045 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.77
10
$1.09
100
$0.719
500
$0.564
5,000
$0.39
10,000
Ver
1,000
$0.497
2,500
$0.438
10,000
$0.374
25,000
$0.368
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
64 A
6.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
1:
$3.33
4,806 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4,806 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.33
10
$2.13
100
$1.46
500
$1.23
1,000
Ver
5,000
$0.991
1,000
$1.09
2,500
$1.03
5,000
$0.991
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
100 V
20 A
20 mOhms, 20 mOhms
- 16 V, 16 V
1.1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.08
3,613 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
3,613 En existencias
1
$3.08
10
$1.91
100
$1.35
500
$1.07
5,000
$0.828
10,000
Ver
1,000
$0.962
2,500
$0.946
10,000
$0.784
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.29 mOhms
- 16 V, 16 V
1.6 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC009NE2LS
Infineon Technologies
1:
$2.94
4,909 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
4,909 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.94
10
$1.87
100
$0.865
5,000
$0.809
10,000
$0.805
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
168 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
1:
$2.57
9,010 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC084P03NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
9,010 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.57
10
$1.59
100
$1.05
500
$0.822
5,000
$0.564
10,000
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1,000
$0.702
2,500
$0.637
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
P-Channel
1 Channel
30 V
78.6 A
6.1 mOhms
- 25 V, 25 V
3.1 V
57.7 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
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OptiMOS
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726-IPG20N04S4-12
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1
$2.46
10
$1.34
100
$0.978
500
$0.82
5,000
$0.628
10,000
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1,000
$0.705
2,500
$0.692
10,000
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SMD/SMT
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N-Channel
2 Channel
40 V
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12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
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AEC-Q100
OptiMOS
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IPG20N04S412AATMA1
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726-IPG20N04S412AATM
NRND
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14,593 En existencias
1
$2.41
10
$1.35
100
$0.967
500
$0.809
5,000
$0.618
10,000
Ver
1,000
$0.686
10,000
$0.601
25,000
$0.56
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N-Channel
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40 V
20 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
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726-BSC155N06NDATMA1
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4,017 En existencias
1
$2.39
10
$1.40
100
$1.01
500
$0.802
5,000
$0.611
10,000
Ver
1,000
$0.677
10,000
$0.553
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TDSON-8
N-Channel
2 Channel
60 V
20 A
15.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0502NSIATMA1
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1:
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9,928 En existencias
NRND
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726-BSC0502NSIATMA1
NRND
Infineon Technologies
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9,928 En existencias
1
$2.15
10
$1.23
100
$0.871
500
$0.709
5,000
$0.519
10,000
Ver
1,000
$0.594
10,000
$0.484
25,000
$0.475
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TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
43 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
BSC030N03MSGATMA1
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726-BSC030N03MSGATMA
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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$1.06
100
$0.705
500
$0.549
5,000
$0.408
10,000
Ver
1,000
$0.455
10,000
$0.365
25,000
$0.348
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TDSON-8
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30 V
100 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel