Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
NCV81071AZR2G
onsemi
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
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Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits
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Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A
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SI2343CDS-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR826BDP-T1-RE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJ872EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V
SQS460EN-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3424CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
ACPL-772L-520E
Broadcom / Avago
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Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
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Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
IX4428NTR
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IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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NVHL160N120SC1
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NVHL160N120SC1
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFN132N50P3
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IXYS
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ9407EY-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
50,752 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 781-SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
32,017 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
FDC608PZ
onsemi
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146,753 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDC608PZ
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
146,753 En existencias
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