Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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13.7 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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12.2 dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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MICRO-X-4
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GaAs
24 GHz
- 55 C
+ 125 C
13.8 dB
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
MICRO-X-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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551-CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
26 En existencias
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Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
12.2 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
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N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
pHEMT
GaAs
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
NESG270034-EV09-AZ
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NESG270034-EV09-AZ
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
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Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
Bipolar
SiGe
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
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551-CE3521M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 15,000
Mult.: 15,000
Carrete :
15,000
Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
20 GHz
- 55 C
+ 125 C
11.9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
NE5550979A-EV04-A
CEL
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N.º de artículo de Mouser
551-NE5550979A-EV04A
CEL
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
N/A
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Bulk
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
10,000:
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N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete :
10,000
Detalles
RF JFET Transistors
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10,000:
$3.72
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete :
10,000
Detalles
RF JFET Transistors
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF19
NESG2030M04-EVNF19
CEL
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
NESG2030M04-EVNF19
CEL
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
No
RF Bipolar Transistors
Bipolar
SiGe
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
CEL NESG2030M04-EVNF24
NESG2030M04-EVNF24
CEL
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
NESG2030M04-EVNF24
CEL
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon Germanium Amplifier and Oscillator Transistor
No
RF Bipolar Transistors
Bipolar
SiGe