K3 Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3016316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray