Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser México

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Resultados: 4

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: $5.33 5,441En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5,441En existencias	Cinta cortada $5.33 $3.48 $2.54 $2.21 Envase tipo carrete $1.86 $1.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3 G Infineon Technologies 1: $7.84 1,789En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP110N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP110N20N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1,789En existencias 1,000En pedido	$7.84 $5.14 $3.84 $3.20 Ver $2.81 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB107N20N3 G Infineon Technologies 1: $8.94 50En existencias 4,000Se espera el 08/07/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	50En existencias 4,000Se espera el 08/07/2027	Cinta cortada $8.94 $5.99 $4.81 $4.28 Envase tipo carrete $3.78 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: $13.75 No en existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	No en existencias	Cinta cortada $13.75 $9.72 $8.10 $7.22 Envase tipo carrete $6.83 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel