Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.91 7En existencias 3,600Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPTC026N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC026N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	7En existencias 3,600Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada $9.91 $6.18 $5.06 $4.63 $4.20 Envase tipo carrete $4.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	222 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $10.79 4,636En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT017N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4,636En existencias	Cinta cortada $10.79 $7.59 $6.15 $5.46 $5.17 Envase tipo carrete $4.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	2.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.61 9,996En existencias 5,000Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC030N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	9,996En existencias 5,000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $8.61 $4.94 $4.17 $3.80 Ver Envase tipo carrete $3.06 $3.51 $3.34 $3.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	194 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.21 10,522En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	10,522En existencias	Cinta cortada $6.21 $3.22 $2.93 $2.52 Ver Envase tipo carrete $2.21 $2.43 $2.34 $2.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8FL	N-Channel	1 Channel	120 V	163 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $10.73 1,289En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP022N12NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP022N12NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,289En existencias	$10.73 $5.97 $5.49 $4.68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	203 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $11.21 1,451En existencias 12,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1,451En existencias 12,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC017N12NM6ATMA1 Existencias: 1,451 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,400 Se espera el 12/11/2026 7,200 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $11.21 $6.10 $5.60 $5.51 $5.21 Envase tipo carrete $5.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.60 2,581En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC032N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC032N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	2,581En existencias	Cinta cortada $6.60 $3.42 $3.11 $2.94 $2.78 Envase tipo carrete $2.56	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	170 A	9 mOhms	20 V	1.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.42 6,281En existencias 10,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC073N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC073N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	6,281En existencias 10,000En pedido	Cinta cortada $4.42 $2.21 $2.00 $1.63 $1.60 Envase tipo carrete $1.60 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	86 A	7.3 mOhms	20 V	2.2 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.36 4,105En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC078N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC078N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,105En existencias	Cinta cortada $4.36 $2.17 $1.96 $1.60 Ver Envase tipo carrete $1.46 $1.57 $1.51 $1.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	85 A	7.8 mOhms	20 V	3.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.20 11,440En existencias 10,000Se espera el 20/10/2027	N.º de artículo del Fabricante ISC104N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC104N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	11,440En existencias 10,000Se espera el 20/10/2027	Cinta cortada $3.20 $1.66 $1.52 $1.23 $1.22 Envase tipo carrete $0.953 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	63 A	10.4 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.20 4,306En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC110N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC110N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,306En existencias	Cinta cortada $3.20 $1.56 $1.40 $1.12 Ver Envase tipo carrete $0.957 $1.08 $1.05 $0.957	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	11 mOhms	20 V	3.1 V	15.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.39 10,002En existencias 10,000Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC320N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC320N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	10,002En existencias 10,000Se espera el 30/11/2026	Cinta cortada $2.39 $1.38 $1.04 $0.818 Envase tipo carrete $0.644 $0.633 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPB022N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $11.19 332En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB022N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB022N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	332En existencias	Cinta cortada $11.19 $7.62 $5.59 $5.54 Envase tipo carrete $5.14	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	120 V	167 A	2.5 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.63 69,820En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ106N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ106N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	69,820En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ106N12LM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,820 Se espera el 26/11/2026 65,000 Se espera el 28/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.63 $1.26 $1.13 $0.893 $0.863 Envase tipo carrete $0.722 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	10.6 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.98 3,470En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTG017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3,470En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTG017N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,670 Se espera el 05/11/2026 1,800 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada $9.98 $6.68 $5.37 $4.78 $4.23 Envase tipo carrete $4.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.03 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante ISZ330N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ330N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $2.03 $1.10 $0.823 $0.664 Ver Envase tipo carrete $0.477 $0.618 $0.616 $0.477	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	33 mOhms	20 V	2.2 V	3.6 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1 IPB133N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: $1.60 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB133N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB133N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	Envase tipo carrete $1.60 $1.56	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si																Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1 IPB035N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: $3.47 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB035N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB035N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete $3.47 $3.38	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	120 V	138 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement		Reel

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