Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.47
3,936 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
3,936 En existencias
1
$3.47
10
$1.70
100
$1.53
500
$1.22
1,000
Ver
5,000
$1.07
1,000
$1.20
2,500
$1.16
5,000
$1.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TTFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
166 A
2.05 mOhms
20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
IQE020N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.80
4,712 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGSC
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
4,712 En existencias
1
$3.80
10
$1.89
100
$1.69
500
$1.37
1,000
Ver
6,000
$1.05
1,000
$1.28
2,500
$1.24
6,000
$1.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
6,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WTFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
166 A
2.05 mOhms
20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.02
113,463 En existencias
95,000 Se espera el 04/03/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
113,463 En existencias
95,000 Se espera el 04/03/2027
1
$2.02
10
$0.948
100
$0.844
500
$0.66
2,500
$0.601
5,000
$0.504
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7,000
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.2 mOhms
20 V
1.3 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
79 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.33
27,077 En existencias
10,000 Se espera el 06/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
27,077 En existencias
10,000 Se espera el 06/10/2026
1
$2.33
10
$1.48
100
$1.31
500
$1.04
5,000
$0.852
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.1 mOhms
20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.31
7,242 En existencias
50,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC059N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
7,242 En existencias
50,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
7,242 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20,000 Se espera el 01/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$1.31
10
$0.606
100
$0.536
500
$0.412
5,000
$0.298
10,000
Ver
1,000
$0.397
2,500
$0.355
10,000
$0.268
25,000
$0.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
59 A
5.9 mOhms
20 V
1.3 V
9.4 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.37
5,505 En existencias
31,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
5,505 En existencias
31,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
5,505 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 08/10/2026
15,000 Se espera el 01/04/2027
15,000 Se espera el 29/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$2.37
10
$1.22
100
$1.09
500
$0.859
5,000
$0.689
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.8 mOhms
20 V
2.3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.13
203 En existencias
30,000 Se espera el 13/05/2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
203 En existencias
30,000 Se espera el 13/05/2027
1
$3.13
10
$1.53
100
$1.38
500
$1.09
1,000
Ver
5,000
$0.932
1,000
$1.04
2,500
$0.97
5,000
$0.932
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1 mOhms
20 V
1.3 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.33
39,863 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
39,863 En pedido
Ver fechas
En pedido:
14,863 Se espera el 18/03/2027
25,000 Se espera el 22/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$4.33
10
$2.60
100
$2.02
500
$1.69
1,000
$1.57
5,000
$1.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
381 A
700 uOhms
20 V
1.3 V
94 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.61
168,348 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
168,348 En pedido
Ver fechas
En pedido:
48,348 Se espera el 01/10/2026
30,000 Se espera el 28/10/2026
90,000 Se espera el 05/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$1.61
10
$0.868
100
$0.664
500
$0.541
1,000
$0.515
5,000
$0.384
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
7 mOhms
20 V
2.3 V
9.5 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.65
15,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
15,000 En pedido
1
$2.65
10
$1.28
100
$1.14
500
$0.905
1,000
Ver
5,000
$0.742
1,000
$0.883
2,500
$0.814
5,000
$0.742
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-FL-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
2.4 mOhms
20 V
2.3 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel