Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R800CE
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
239 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
7.6 A
720 mOhms
20 V
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IPN50R1K4CEATMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
500 V
3.1 A
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20 V
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CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R2K0CEAUMA1
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1
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IPD50R3K0CEAUMA1
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Fin de vida útil
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726-IPD50R3K0CEAUMA1
Fin de vida útil
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2,350 Se espera el 15/04/2027
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
2.6 A
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20 V
3 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
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N-Channel
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24.8 A
190 mOhms
20 V
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