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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
465En existencias
Cinta cortada
$11.40
$6.21
$6.12
$5.64
Envase tipo carrete
$5.33
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
1,458En existencias
Cinta cortada
$9.18
$4.93
$4.38
$4.13
Envase tipo carrete
$4.00
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
2,513En existencias
Cinta cortada
$4.62
$2.31
$2.08
$1.70
Envase tipo carrete
$1.57
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
529En existencias
$10.89
$7.29
$5.86
$5.20
$4.60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
Hoja de datos
918En existencias
Cinta cortada
$3.56
$1.76
$1.53
$1.26
Envase tipo carrete
$1.16
$1.11
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
2,186En existencias
Cinta cortada
$11.75
$8.28
$6.70
$5.95
Envase tipo carrete
$5.33
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
2,720En existencias
Cinta cortada
$3.24
$1.59
$1.42
$1.13
Envase tipo carrete
$0.978
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
Hoja de datos
232En existencias
240Se espera el 22/10/2026
$23.54
$14.25
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3
Hoja de datos
2,480En existencias
$10.08
$6.25
$5.42
$4.81
$4.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
1,155En existencias
480En pedido
$12.04
$7.05
$5.94
$5.72
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
775En existencias
Cinta cortada
$6.25
$3.22
$2.93
$2.54
Envase tipo carrete
$2.38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
10En existencias
Cinta cortada
$4.71
$3.06
$2.15
$1.79
Envase tipo carrete
$1.66
$1.57
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
267En existencias
$12.04
$8.23
$6.79
$6.03
$5.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
178En existencias
$15.28
$11.05
$9.22
$8.20
$7.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
272En existencias
$12.06
$8.24
$6.80
$6.05
$5.66
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
6En existencias
480Se espera el 15/10/2026
$12.44
$6.68
$6.16
$5.98
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
238En existencias
240Se espera el 29/04/2027
$15.17
$8.32
$7.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
13En existencias
480Se espera el 15/07/2027
$10.89
$6.51
$5.60
$4.76
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3
Hoja de datos
405En existencias
$7.55
$3.86
$3.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
982Se espera el 08/10/2026
Cinta cortada
$6.66
$4.37
$3.25
$2.83
Envase tipo carrete
$2.39
$2.38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
Envase tipo carrete
$4.00
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Envase tipo carrete
$0.893
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$1.23
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel