LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs

Nexperia LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs offer 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance constructed in the space-saving LFPAK56D package. The LFPAK56D MOSFETs have removed PCB tracks and permit simple automated optical inspection (AOI) during production, resulting in a 30% lower PCB area than dual MOSFETs 3 phase motor control topologies.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
88En existencias
3,000Se espera el 17/05/2027
Cinta cortada
$2.29
$1.42
$0.806
$0.629
Envase tipo carrete
$0.543
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms 20 V 2.2 V 13.9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7V4R2-40H/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
1,497Se espera el 26/04/2027
Cinta cortada
$3.47
$1.81
$1.52
$1.25
Envase tipo carrete
$0.996
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 98 A 4.2 mOhms 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel