600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,655En existencias
Cinta cortada
$2.91
$1.82
$1.20
$0.95
Envase tipo carrete
$0.741
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Min.: 1
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: 5,000
Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,182En existencias
Cinta cortada
$3.51
$1.73
$1.56
$1.24
$1.22
Envase tipo carrete
$1.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,496En existencias
Cinta cortada
$2.00
$0.982
$0.814
$0.64
Envase tipo carrete
$0.456
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 8,000En existencias
$2.86
$1.39
$1.24
$0.982
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,150En existencias
Cinta cortada
$3.06
$1.72
$1.31
$1.06
$1.03
Envase tipo carrete
$0.853
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 8,862En existencias
Cinta cortada
$1.59
$0.738
$0.655
$0.508
Envase tipo carrete
$0.415
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 5,568En existencias
Cinta cortada
$2.44
$1.16
$1.02
$0.801
Envase tipo carrete
$0.65
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,230En existencias
Cinta cortada
$1.47
$0.679
$0.601
$0.464
Envase tipo carrete
$0.363
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 941En existencias
Cinta cortada
$1.61
$0.751
$0.728
$0.572
Envase tipo carrete
$0.416
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,361En existencias
$2.74
$1.44
$1.13
$0.894
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 39En existencias
1,000Se espera el 31/12/2026
$5.08
$2.94
$2.31
$1.89
$1.87
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 700En existencias
$3.82
$1.89
$1.70
$1.37
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 159En existencias
5,000En pedido
Cinta cortada
$2.64
$1.40
$1.09
$0.82
Envase tipo carrete
$0.673
$0.659
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,766En existencias
Cinta cortada
$1.99
$0.935
$0.832
$0.651
Envase tipo carrete
$0.529
$0.497
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,625En existencias
Cinta cortada
$1.40
$0.65
$0.575
$0.443
Envase tipo carrete
$0.346
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
80,997Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
$1.96
$0.92
$0.819
$0.638
$0.612
Envase tipo carrete
$0.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Cinta cortada
$3.09
$1.51
$1.33
$1.06
$1.01
Envase tipo carrete
$0.853
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Cinta cortada
$2.51
$1.57
$1.03
$0.82
Envase tipo carrete
$0.64
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape