Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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8 V
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- 55 C
+ 150 C
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6 nC
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3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3421DV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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8 A
19.2 mOhms
20 V
1 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
4.2 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 7.5A
SI3424CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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78-SI3424CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 7.5A
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TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8 A
26 mOhms
20 V
2.5 V
4.2 nC
- 55 C
+ 150 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
SI3474DV-T1-BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 3.8A N-CH MOSFET
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SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
100 V
3.8 A
126 mOhms
20 V
1.2 V
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