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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Automotive U-MOSX-H MOSFETs
Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.