Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
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942-IRLHS6276TRPBF
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Si
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PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
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12,000 Se espera el 31/12/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
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22 A
11.7 mOhms
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
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12,850 Se espera el 20/05/2027
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942-IRLHS6376TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
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Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
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StrongIRFET
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