QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Tecnología
Qorvo GaN FETs 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl 11En existencias
$2,879.32
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC
Qorvo GaN FETs 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
$2,879.32
Min.: 18
Mult.: 18
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC