Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVD5C Power MOSFETs

onsemi NVD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified and offer robust solutions for automotive applications. NVD5C Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, surface-mount DPAK package and are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK

NVD5C434NT4G
onsemi
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863-NVD5C434NT4G

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

163 A

1.7 mOhms

20 V

2 V

80.6 nC

- 55 C

+ 175 C

117 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C668NLT4G
onsemi
1: $4.00
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NVD5C668NLT4G

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$1.44

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Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

49 A

7.4 mOhms

20 V

1.2 V

18.7 nC

- 55 C

+ 175 C

44 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C684NLT4G
onsemi
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NVD5C684NLT4G

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$1.37

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

38 A

13.7 mOhms

20 V

1.2 V

9.6 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NT4G
onsemi
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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
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NVD5C688NLT4G

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
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1,645En existencias

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NVD5C478NLT4G

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863-NVD5C478NLT4G

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$3.52

$1.73

$1.56

$1.25

$1.20

Envase tipo carrete

$1.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

7.7 mOhms

20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C446NT4G
onsemi
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NVD5C446NT4G

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$2.20

$1.98

$1.60

$1.59

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$1.47

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Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

101 A

2.9 mOhms

20 V

2 V

34.3 nC

- 55 C

+ 175 C

101 W

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