Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.36 5,979En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,979En existencias	Cinta cortada $5.36 $2.72 $2.47 $2.05 $1.94 Envase tipo carrete $1.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.43 4,318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,318En existencias	Cinta cortada $5.43 $2.77 $2.51 $2.09 $1.98 Envase tipo carrete $1.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $7.55 1,401En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,401En existencias	Cinta cortada $7.55 $3.97 $3.61 $3.26 $3.08 Envase tipo carrete $3.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.29 4,266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,266En existencias	Cinta cortada $5.29 $2.69 $2.43 $2.11 Envase tipo carrete $1.82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.94 2,738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,738En existencias	Cinta cortada $4.94 $2.50 $2.25 $1.85 $1.73 Envase tipo carrete $1.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.94 5,095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,095En existencias	Cinta cortada $4.94 $3.22 $2.35 $1.98 Ver Envase tipo carrete $1.72 $1.83 $1.72 $1.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $8.28 2,553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,553En existencias	Cinta cortada $8.28 $4.38 $4.00 $3.69 $3.58 Envase tipo carrete $3.45	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.68 7,458En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7,458En existencias	Cinta cortada $5.68 $2.91 $2.64 $2.22 Envase tipo carrete $2.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $9.70 166En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP023N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	166En existencias 1,000En pedido	$9.70 $6.49 $5.21 $4.63 $4.11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.71 51En existencias 12,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC011N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC011N08NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	51En existencias 12,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC011N08NM5ATMA1 Existencias: 51 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,200 Se espera el 15/07/2027 5,400 Se espera el 05/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $9.71 $6.36 $4.68 $4.16 $3.68 Envase tipo carrete $3.68	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	80 V	408 A	1.1 mOhms	20 V	3.8 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.40 455En existencias 6,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	455En existencias 6,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $5.40 $3.54 $2.64 $2.21 Ver Envase tipo carrete $1.91 $2.05 $1.91 $1.91	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: $12.83 2,775En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT013N08NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT013N08NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,775En existencias	Cinta cortada $12.83 $7.07 $6.59 $6.23 Envase tipo carrete $6.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	333 A	1.3 mOhms	20 V	4.1 V	158 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.64 4,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC033N08NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S33N08NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V	Hoja de datos	4,000En existencias	Cinta cortada $5.64 $2.89 $2.61 $2.20 $2.12 Envase tipo carrete $2.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	144 A	3.3 mOhms	20 V	2.2 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1 IPP034N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.03 615En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP034N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP034N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	615En existencias	$5.03 $2.55 $2.30 $2.03 $1.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	3.4 mOhms	20 V	3.8 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.36 5En existencias 6,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5En existencias 6,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada $5.36 $3.17 $2.48 $2.07 $1.99 Envase tipo carrete $1.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $5.07 92En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	92En existencias	Cinta cortada $5.07 $2.59 $2.31 $1.90 Ver Envase tipo carrete $1.68 $1.83 $1.77 $1.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.06 10,784En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC014N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC014N10NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,784En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC014N10NM5ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,784 Se espera el 18/02/2027 1,800 Se espera el 15/04/2027 7,200 Se espera el 04/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $9.06 $6.06 $4.88 $4.33 $3.84 Envase tipo carrete $3.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	100 V	365 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $8.84 11,751En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISG0616N10NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0616N10NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11,751En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISG0616N10NM5HSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5,751 Se espera el 11/03/2027 6,000 Se espera el 25/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $8.84 $4.71 $4.30 $4.02 Envase tipo carrete $3.76 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	100 V	139 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.50 10,000Se espera el 25/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-E046N08LM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,000Se espera el 25/02/2027	Cinta cortada $5.50 $2.81 $2.29 $1.99 Ver Envase tipo carrete $1.86 $1.92 $1.89 $1.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $7.81 4,870Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQD016N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD016N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,870Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada $7.81 $4.49 $3.77 $3.51 Ver Envase tipo carrete $3.19 $3.46 $3.43 $3.19	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	323 A	1.57 mOhms	20 V	3.8 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.90 6,000Se espera el 11/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,000Se espera el 11/02/2027	Cinta cortada $5.90 $3.03 $2.76 $2.34 Ver Envase tipo carrete $2.18 $2.33 $2.26 $2.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.84 10,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada $4.84 $2.47 $2.20 $1.82 Ver Envase tipo carrete $1.59 $1.74 $1.63 $1.59	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.28 499Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP083N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP083N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	499Se espera el 10/12/2026	$4.28 $2.13 $1.92 $1.55 $1.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	44 A	8.3 mOhms	20 V	3.8 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	36 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1 IPP023N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.93 500Se espera el 06/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP023N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	500Se espera el 06/11/2026	$7.93 $4.16 $3.80 $3.13 $3.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies 6,000: $1.85 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete $1.85	Min.: 6,000 Mult.: 6,000 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel