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MB85RS64TPN-G-AMEWE1

Name: RAMXEED MB85RS64TPN-G-AMEWE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85RS64TPNGAMEWE1
Price: 5.76 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

249-85RS64TPNGAMEWE1

Fabricante N.º:

MB85RS64TPN-G-AMEWE1

Fabricante:

RAMXEED

Descripción:

F-RAM 64kbit FeRAM with SPI 1.8-3.6V - SON8 T&R

Hoja de datos:

MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 11

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$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$5.76	$5.76
	$5.38	$53.80
	$5.21	$130.25
	$5.10	$255.00
	$4.98	$498.00
	$4.82	$1,205.00
	$4.71	$2,355.00
	$4.52	$4,520.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$4.39	$6,585.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	RAMXEED
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	64 kbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	10 MHz
Organización:	8 k x 8
Paquete / Cubierta:	SON-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	RAMXEED
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	15 mg

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Hoja de datos

MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

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