MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

Micron
340-578623-TRAY
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B

Fabricante:

Descripción:
DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR4
16 Gbit
32 bit
2.133 GHz
TFBGA-200
512 M x 32
3.5 ns
1.06 V
1.95 V
- 40 C
+ 95 C
140S
Tray
Marca: Micron
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1280
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 59 mA
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Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320036
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

LPDDR4 Memory

Micron LPDDR4 Memory is optimized to address power consumption issues in battery-operated applications. These memory devices offer 33% faster peak bandwidth compared to DDR4. The LPDDR4 Memory provides 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM. These Memory Devices feature Multi-Chip Package (MCP) and Package-on-Package (PoP) designs that save PCB space. The LPDDR4 Memory Devices optimize x16, x32, and x64 configurations and offer BOM savings for certain applications. The LPDDR4 Memory combines performance, power, latency, and physical space, which makes it energy-efficient. These LPDDR4 Memory Devices are suitable for handsets, battery-operated applications, and ultra-portables.

En existencias: 135

Existencias:
135 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 135 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 100
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:
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